Coloquio de Física - Semiconductores amorfos: un modelo de fluctuaciones de banda

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Ponente: Andrés Guerra (Sección Física PUCP) Los semiconductores amorfos han sido objeto de estudio por varias décadas debido a sus potenciales aplicaciones y métodos de deposición relativamente poco costosos. Por ejemplo, las películas delgadas de carburo de silicio amorfo hidrogenado (a-SiC:H) son candidatas para servir de foto-electrodo en dispositivos foto-electroquímicos para la producción de hidrógeno usando luz solar. Sin embargo, el modelamiento de varias de sus propiedades puede ser muy desafiante. Una importante diferencia entre semiconductores amorfos y cristalinos yace en los estados tipo cola (band-tail states), cuya aparición es el resultado del desorden topológico de los átomos en un material. Cómo estos estados se superponen a los estados extendidos de valencia y conducción es un problema aún no resuelto. En esta charla, revisaremos conceptos fundamentales sobre la definición del ancho de banda óptico. Discutiremos qué significa y cómo se mide, con el fin de introducir un modelo reciente basado en fluctuaciones térmicas de las bandas que nos permita definir y medir el ancho de banda de un material amorfo