Coloquio de Física - Caracterización de películas delgadas semiconductoras de un amplio ancho de banda dopadas con tierras raras

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Ponente: Andrés Guerra (Sección Física PUCP) Las películas mono-cristalinas semiconductoras de materiales con un amplio ancho de banda como carburo de silicio (c-SiC), nitruro de silicio (c-Si3N4) o nitruro de aluminio (c-AlN) son de creciente interés en investigación y desarrollo para aplicaciones ópticas. Esto se debe principalmente a las extraordinarias propiedades del SiC, el Si3N4 y el AlN, como son su alto voltaje de ruptura y conductividad térmica, en contraste con los semiconductores usuales como GaAs y Si. Asimismo, un amplio ancho de banda permite la emisión a temperatura de ambiente en todo el rango visible, gracias al dopaje con tierras raras, cubriendo los colores básicos azul (Tm3+), verde (Tb3+) y rojo (Eu3+). De otro lado, es posible hacer "ingeniería del ancho de banda", variando la proporción (x) de los materiales en el compuesto Al1.xSixN. Ello abre la posibilidad de manipular las propiedades de emisión, como ya fue demostrado por otro grupo en el sistema Al1.xGaxN y por nuestro grupo en el sistema (SiC)1-x(AlN)x. [...]