Adnei Melges de Andrade

1996 . Habilitación . São Paulo Universidad : Título ". Materiales para Microelectrónica contribuciones a sus dispositivos de Desarrollo y Aplicaciones" Año obtiene: 1996. Palabras clave: Células solares; Películas delgadas; Microelectrónica; El silicio amorfo; Transistores Thin Films. Área de Especialización: Ingeniería / Area: Ingeniería Eléctrica / Subárea: Materiales Eléctricos / Especialidad: Materiales y Componentes Semiconductores. Sectores: Desarrollo de nuevos materiales; Fabricación de Equipo Médico y el Hospital Instrumentación, ópticos y de precisión, herramientas de automatizacion industrial, temporizadores y relojes. 1985 - 1989 . Doctor en Ingeniería Eléctrica de la Universidad de São Paulo, USP, Brasil. Título: Preparación y caracterización de películas delgadas y de silicio amorfo. APLICACIONES EN DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS, Año Colección: 1989. Advisor: AMERICO CARLOS DE ANDRADE MORATO. Palabras clave: Thin Films; Microelectrónica; El silicio amorfo. Major Área: Ingeniería / Area: Ingeniería Eléctrica / Subárea: Circuitos Eléctricos, Magnéticos y Electrónicos. 1970 - 1972 . Máster en Ingeniería Eléctrica de la Universidad de São Paulo, USP, Brasil. Título: La oxidación térmica del silicio. . UN ESTUDIO método de oxidación CON VAPOR DE AGUA, Año Colección: . 1972 Asesor: DR. CARLOS IGNACIO ZAMITTI Mammana. Palabras clave: Dióxido de silicio; Microelectrónica; Oxidación al vapor. Major Área: Ingeniería / Area: Ingeniería Eléctrica / Subárea: Circuitos Eléctricos, Magnéticos y Electrónicos. 1965 - 1968 Licenciado en Física. Universidad de São Paulo, USP, Brasil.